Как-то раз, зайдя в
компьютерную фирму, я решил
выяснить, что означают
различные сокращения,
используемые в прайс-листах.
Найдя в разделе "Память"
строчку "Модуль памяти SDRAM
W/SPD PC-100 32Mb 8ns SEC", задал
соответствующий вопрос
менеджеру. На что получил
"очень квалифицированный"
ответ: "Сейчас почти вся
память такая". Так вот, чтобы
с читателями ПЛ такого не
случалось, мы решили прояснить
этот вопрос. Сегодня мы коротко
познакомимся с некоторыми
технологиями, используемыми
при производстве модулей
оперативной памяти. Основной
упор будет сделан на те
технологии и сокращения,
которые встречаются в
прайс-листах компьютерных
фирм. (В нашу задачу не входит
глубокое рассмотрение всех
тонкостей организации работы
того или иного типа микросхем).
Мозг является одним
из наиболее важных компонентов
любой системы - будь то живое
существо или техническое чудо
(персональный компьютер).
Мозгом вашего PC является
оперативная память
(установленная в соответ-
ствующий разъем на системной
плате). Немного
перефразированная строчка из
известной песенки "и без
памяти и не туды и не сюды"
наглядно демонстрирует всю
важность этих небольших по
своим размерам плат.
Сегодняшние программы
становятся все требовательнее
не только к количеству, но и к
быстродействию ОЗУ.
До недавнего времени
эта область компьютерной
индустрии не развивалась (по
сравнению с другими
направлениями). Взять хотя бы
видео, аудиоподсистемы,
производительность
процессоров и т. д. Конечно,
усовершенствования были, но
они не соответствовали темпам
развития других компонентов и
касались лишь таких
параметров, как время выборки,
был добавлен кэш
непосредственно на модуль
памяти, конвейерное исполнение
запроса, изменен управляющий
сигнал вывода данных, но
технология производства
оставалась прежней,
исчерпавшей свой ресурс.
Память становилась узким
местом компьютера, а, как
известно, быстродействие всей
системы определяется
быстродействием самого
медленного ее элемента. И вот
несколько лет назад волна
технологического бума
докатилась до оперативки.
Стали появляться новые типы RAM
(Random Access Memory) микросхем и
модулей. Встречаются такие
понятия, как FPM RAM, EDO RAM, DRAM, VRAM,
WRAM, SGRAM, MDRAM, SDRAM, SDRAM II (DDR SDRAM), ESDRAM,
SLDRAM, RDRAM, Concurrent RDRAM, Direct Rambus. Не
мудрено, что несведущий во всех
тонкостях этих названий
человек может запутаться. К
счастью, большинство из этих
технологий "получили
прописку" лишь на
графических платах и не
используются в качестве
системной памяти компьютера.
О совпадении
количества выводов на модуле
памяти и на материнской плате
Казалось, что этот
вопрос не должен вызывать
затруднений, но, как показала
практика, находятся такие люди,
которые, приобретая модули
памяти, не обращают внимания
даже на простейшее
несоответствие количества
выводов на модуле и на
соответствующем разъеме
материнской платы. Так,
например, студент четвертого
курса одного из технических
вузов столицы, делая апгрейд
компьютера, приобрел
72-контактные модули SIMM (Single In-Line
Memory Module), не обратив внимания на
поддержку данного разъема
системной платой. В итоге
выяснилось, что "мама"
поддерживает только новые
168-контактные модули DIMM (Dual In-Line
Memory Module), и $40 оказались
выброшенными на ветер.
Не спешите с покупкой
- даже механическая
совместимость не дает 100%
гарантии правильного
функционирования (возможно
полное отсутствие
работоспособности). Мы еще
остановимся на этой проблеме.
Разъемы SIMM и DIMM
72-пиновые разъемы SIMM
ожидает та же участь, которая
несколькими годами раньше
постигла их 30-пиновых
предшественников, приказавших
долго жить. Им на смену в 1996 г.
пришел новый разъем DIMM со 168
контактами, а сейчас
появляется еще разъем RIMM. Если
на симмах реализовывались FPM и
EDO RAM, то на диммах - более
современная технология SDRAM. В
системную плату модули SIMM
необходимо было вставлять
только попарно, а DIMM можно
выбрать по одному, что связано
с разрядностью внешней шины
данных процессоров Pentium. Такой
способ установки
предоставляет больше
возможностей для варьирования
объема оперативной памяти.
Модуль памяти Registered DIMM.
Первоначально
материнские платы
поддерживали оба разъема, но
уже довольно продолжительное
время они комплектуются
исключительно разъемами DIMM.
Это связано с упомянутой
возможностью устанавливать их
по одному модулю и тем, что SDRAM
обладает большим
быстродействием по сравнению с
FPM и EDORAM.
Если для FPM и EDO памяти
указывается время чтения
первой ячейки в цепочке (время
доступа), то для SDRAM указывается
время считывания последующих
ячеек. Цепочка - несколько
последовательных ячеек. На
считывание первой ячейки
уходит довольно много времени
(60-70 нс) независимо от типа
памяти, а вот время чтения
последующих сильно зависит от
типа.
Спецификация SDRAM PC100
Еще одно
преимущество SDRAM перед EDO
заключается в том, что EDO не
работает на частотах свыше 66
МГц, а SDRAM доступна частота шины
памяти до 100 МГц.
Стандартный модуль
памяти SDRAM PC100.
Выпустив
чипсет 440BX с официальной
поддержкой тактовой частоты
системной шины до 100 МГц, Intel
сделала оговорку, что модули
памяти SDRAM неустойчиво
работают на такой скорости.
После заявления Intel
представила новую
спецификацию, описывающую все
тонкости, - SDRAM PC100.
Спецификация
PC100. Ключевые моменты. |
- Определение
минимальной и
максимальной
длины пути для
каждого сигнала в
модуле.
- Определение
ширины дорожек и
расстояния между
ними.
- 6-слойные
платы с
отдельными
сплошными слоями
«масса» и
«питание».
- Детальная
спецификация
расстояний между
слоями.
- Строгое
определение длины
тактового
импульса, его
маршрутизации,
момента начала и
окончания.
- Подавляющие
резисторы в цепях
передачи данных.
- Детальная
спецификация
компонент SDRAM.
Модули должны
содержать чипы
памяти SDRAM,
совместимые с Intel
SDRAM Component SPEC (version
1.5).
Данной
спецификации отвечают
только 8-нс чипы, а 10-нс
чипы, по мнению Intel,
неспособны устойчиво
работать на частоте 100
МГц.
- Детальная
спецификация
программирования
EEPROM. Модуль должен
включать
интерфейс SPD,
совместимый с Intel
SPD Component SPEC (version
1.2).
- Особые
требования к
маркировке.
- Подавление
электромагнитной
интерференции.
- Местами
позолоченные
печатные платы.
|
|
Введение
стандарта PC100 в некоторой
степени можно считать
рекламной уловкой, но, как
известно, реклама - двигатель
торговли, и все известные
производители памяти и
системных плат поддержали эту
спецификацию, а с появлением
следующего поколения памяти
переходят на его производство.
Спецификация PC100
является очень критичной, одно
описание с дополнениями
занимает больше 70 страниц.
Для
комфортной работы с
приложениями, требующими
высокого быстродействия,
разработано следующее
поколение синхронной
динамической памяти - SDRAM PC133. В
продаже уже можно найти модули,
поддерживающие эту
спецификацию, причем цена на
них превышает цены
соответствующих моделей PC100 на
30%. Насколько это оправдано,
судить пока довольно сложно, т.
к. нам не удалось
протестировать такие модули.
Продвижением данного
стандарта на рынок занимается
уже не Intel, а их главный
конкурент на рынке процессоров
AMD. Intel же решила поддерживать
память от Rambus, мотивируя это
тем, что она лучше сочетается с
шиной AGP 4x.
Cравнение
параметров PC100 и PC133 |
PC100
2-2-2 |
PC100
3-2-3 |
PC133
3-3-3 |
Speed Sort Indicator |
-8 |
-8 |
-7.5 |
Max. Frequence @ CL=3 |
100MHz |
100MHz |
133MHz |
Access Time from Clock @ CL=3 |
6ns |
6ns |
5,4ns |
Max. Frequence @ CL=2 |
100 MHz |
83MHz |
N/A |
Access Time from Clock @ CL=2 |
6ns |
7ns |
N/A |
Setup/Hold Time |
2/1n |
2/1n |
1,5/0,8n |
Latency |
CL |
20ns |
30ns |
22,5ns |
Trcd |
20ns |
20ns |
22,5ns |
Trp |
20ns |
30ns |
22,5ns |
|
133-МГц чипы
направлены на использование с
новым семейством
микропроцессоров, работающих
на частоте системной шины 133
МГц, и полностью совместимы со
всеми PC100-продуктами. Такими
производителями, как VIA Technologies,
Inc., Acer Laboratories Inc. (ALi), OPTi Inc., Silicon
Integrated Systems (SiS) и Standard Microsystems
Corporation (SMC), разработаны чипсеты,
поддерживающие спецификацию
PC133.
Недавно появилась
еще одна интересная технология
- Virtual Channel Memory. VCM использует
архитектуру виртуального
канала, позволяющую более
гибко и эффективно передавать
данные с использованием
каналов регистра на чипе.
Данная архитектура
интегрирована в SDRAM. VCM, помимо
высокой скорости передачи
данных, совместима с
существующими SDRAM, что
позволяет делать апгрейд
системы без значительных
затрат и модификаций. Это
решение также нашло поддержку
у некоторых производителей
чипсетов.
SPD (Serial Presence Detect)
SPD - это небольшой чип,
находящийся на модуле памяти и
хранящий некоторые его
параметры (рабочее напряжение,
число банков, тип, емкость,
время доступа и т. д.).
Информация записывается в
микросхемы EEPROM, позволяющие
запоминать 2048 бит. Первые 128
байт не могут быть
перезаписаны и отводятся под
некоторую специальную
информацию производителя, а
оставшееся место доступно
пользователю и содержит данные
модуля. На модулях
"безымянного"
производства, как правило, SPD
отсутствует, хотя некоторые
материнские платы требуют его
наличия (например, платы на
чипсете 440LX). Возможно, это
сделано, чтобы исключить
использование "левой"
продукции или чтобы избавить
пользователя от необходимости
делать вручную настройку
памяти в BIOS.
Разновидности DRAM
Синхронное
выполнение
Сейчас уже не
актуально использовать 66-МГц
шины памяти. Разработчики DRAM
нашли возможность преодолеть
этот рубеж и извлекли
некоторые дополнительные
преимущества путем
осуществления синхронного
интерфейса.
С асинхронным
интерфейсом процессор должен
ожидать, пока DRAM закончит
выполнение своих внутренних
операций, которые обычно
занимают около 60 нс. С
синхронным управлением DRAM
происходит защелкивание
информации от процессора под
управлением системных часов.
Триггеры запоминают адреса,
сигналы управления и данных,
что позволяет процессору
выполнять другие задачи. После
определенного количества
циклов данные становятся
доступны, и процессор может
считывать их с выходных линий.
Другое преимущество
синхронного интерфейса
заключается в том, что
системные часы задают только
временные границы, необходимые
DRAM. Это исключает
необходимость наличия
множества стробирующих
импульсов. В результате
упрощается ввод, т. к.
контрольные сигналы адреса
данных могут быть сохранены
без участия процессора и
временных задержек. Подобные
преимущества также
реализованы и в операциях
вывода.
Типы
высокоскоростной памяти
Всю память с
произвольным доступом (RAM)
можно разделить на два типа: DRAM
(динамическая RAM) и SRAM
(статическая RAM).
К первому поколению
высокоскоростных DRAM главным
образом относят EDO DRAM, SDRAM и RDRAM,
а к следующему - ESDRAM, DDR SDRAM, Direct
RDRAM, SLDRAM (ранее SynchLink DRAM) и т. д.
SDRAM
SDRAM способна работать
на частоте, превышающей
частоту работы EDO DRAM. В первой
половине 1997 г. SDRAM занимала
примерно 25% всего рынка DRAM. Как
и предполагалось, к 1998 г. она
стала наиболее популярной из
существующих высокоскоростных
технологий и занимала более 50%
рынка памяти. Первоначально SDRAM
работала на частоте от 66 до 100
МГц. Сейчас существует память,
работающая на частотах от 125 до
143 МГц и даже выше.
Модуль SDRAM на 250Мбайт.
Enhanced SDRAM (ESDRAM)
Для преодоления
некоторых проблем с задержкой
сигнала, присущих стандартным
DRAM-модулям, производители
решили встроить небольшое
количество SRAM в чип, т. е.
создать на чипе кэш. Одним из
таких решений, заслуживающих
внимания, является ESDRAM от Ramtron
International Corporation.
ESDRAM - это по существу
SDRAM плюс немного SRAM. При малой
задержке и пакетной работе
достигается частота до 200 МГц.
Как и в случае внешней
кэш-памяти, DRAM-кэш предназначен
для хранения наиболее часто
используемых данных.
Следовательно, уменьшается
время доступа к данным
медленной DRAM.
DDR SDRAM (SDRAM II)
DDR SDRAM (Double Date Rate SDRAM)
является синхронной памятью,
реализующей удвоенную
скорость передачи данных по
сравнению с обычной SDRAM.
DDR SDRAM не
имеет полной совместимости с
SDRAM, хотя использует метод
управления, как у SDRAM, и
стандартный 168-контактный
разъем DIMM.
Наклейка соответствия
модуля спецификации SDRAM PC100.
DDR SDRAM достигает
удвоенной пропускной
способности за счет работы на
обеих границах тактового
сигнала (на подъеме и спаде), а
SDRAM работает только на одной.
SLDRAM
Стандарт SLDRAM
является открытым, т. е. не
требует дополнительной платы
за лицензию, дающую право на
производство чипов, что
позволяет снизить их
стоимость. Подобно предыдущей
технологии, SLDRAM использует обе
границы тактового сигнала. Что
касается интерфейса, то SLDRAM
перенимает протокол, названный
SynchLink Interface. Эта память
стремится работать на частоте
400 МГц.
У всех
предыдущих DRAM были разделены
линии адреса, данных и
управления, которые
накладывают ограничения на
скорость работы устройств. Для
преодоления этого ограничения
в некоторых технологических
решениях все сигналы стали
выполняться на одной шине.
Двумя из таких решений
являются технологии SLDRAM и DRDRAM.
Они получили наибольшую
популярность и заслуживают
внимания.
Модуль памяти DRDRAM.
RDRAM (Rambus DRAM)
RDRAM представляет
спецификацию, созданную Rambus, Inc.
Частота работы памяти равна 400
МГц, но за счет использования
обеих границ сигнала
достигается частота,
эквивалентная 800 МГц.
Спецификация Rambus сейчас
наиболее интересна, так что
остановимся на ней подробнее.
Модули от Rambus, Inc.
Direct Rambus™ DRAM - это
высокоскоростная динамическая
память с произвольным
доступом, разработанная Rambus, Inc.
Она обеспечивает высокую
пропускную способность по
сравнению с большинством
других DRAM. Direct Rambus DRAMs
представляет интегрированную
на системном уровне
технологию.
Работа Direct RDRAMtm
определяется требованиями
подсистемы Direct Rambus. Для
понимания деталей
спецификации Direct Rambus DRAM
необходимо понять подсистему
памяти Rambus™ в целом.
Direct Rambus Memory System
Подсистема памяти
Direct Rambus включает следующие
компоненты:
- Direct Rambus Controller
- Direct Rambus Channel
- Direct Rambus Connector
- Direct Rambus RIMM(tm)
- Direct Rambus DRAMs
Физические,
электрические и логические
части всех этих компонентов
определены и специфицированы
Rambus, Inc. Это требуется для
совместимости и
высокоскоростной работы
подсистемы Direct Rambus.
Direct Rambus Controller
Контроллер Direct Rambus -
это главная шина подсистемы
памяти. Он помещается на чипе
логики, таком, как PC-чипсет,
микропроцессор, графический
контроллер или ASIC. Физически
можно поместить до четырех Direct
Rambus-контроллеров на одном чипе
логики. Контроллер
представляет собой интерфейс
между чипом логики и каналом
Direct Rambus. В его обязанности
входит генерирование запросов,
управление потоком данных и
еще ряд функций.
Direct Rambus-контроллер
состоит из двух
самостоятельных блоков: Rambus ASIC
Cell (RAC) и Rambus Memory Controller (RMC).
Direct Rambus Channel
Direct Rambus Channel создает
электрическое соединение
между Rambus-контроллером и
чипами Direct RDRAM. Работа канала
основана на 30-ти сигналах,
составляющих высокоскоростную
шину. Эта шина работает на
тактовой частоте 400 МГц и
позволяет передавать данные на
800 МГц (данные передаются на
обеих границах такта). Такая
высокая частота достигается за
счет использования некоторых
технических приемов. Два
канала данных (шириной в байт
каждый) позволяют получить
пиковую пропускную
способность в 1,6 Гбайт/с.
Канал может быть
выполнен на обычных системных
платах и соответствует
форм-фактору SDRAM.
Direct Rambus Connector
Разъем Direct Rambus
представляет низкоиндуктивный
интерфейс между каналом на
модуле RIMM и каналом на
материнской плате. Connector -
разъем со 168 контактами.
Контакты размещены на двух
сторонах модуля по 84 с каждой
стороны.
Direct Rambus RIMM
Direct Rambus RIMM - это
модуль памяти, который
включает один или более Direct
RDRAM-чипов и организует
непрерывность канала. Канал
входит в модуль на одном конце,
проходит через все чипы DRAM и
выходит на другом. По существу
RIMM образует непрерывный канал
на пути от одного разъема к
другому. Недопустимо оставлять
свободными разъемы, потому что
это приведет к разрыву канала с
терминатором, находящимся на
системной плате в конце канала.
Для решения этой проблемы
разработаны модули только с
каналом (чипы памяти
отсутствуют). Они называются
continuity modules и предназначены для
заполнения свободных
посадочных мест.
Модули Direct Rambus имеют
геометрические размеры,
сходные с размерами SDRAM DIMMs. Это
позволяет вставлять RIMM'ы во все
материнские платы с
соответствующим форм-фактором.
Модули имеют 168 контактов. Еще
модули RIMM поддерживают SPD,
который используется на DIMM'ах
SDRAM. В отличие от SDRAM DIMM, Direct Rambus
может содержать любое целое
число чипов Direct RDRAM (до
максимально возможного).
Direct Rambus RIMMs могут быть
как односторонние, так и
двухсторонние. Односторонние
RIMM используют шестислойную
плату и могут содержать от
одного до восьми чипов Direct RDRAM.
Двухсторонние RIMM используют
восьмислойную плату и могут
содержать до 16-ти чипов Direct DRAM.
Для гарантии совместимости
различных товаров Rambus, Inc.
обеспечивает некоторые
правила конструирования.
Memory Expansion
Один канал Direct Rambus
максимум может поддерживать 32
чипа Direct RDRAM. В материнской
плате может использоваться до
трех RIMM-модулей. Используя
64-Мбит, 128-Мбит и 256-Мбит
устройства, максимальная
емкость памяти на канал
достигает 256 Мбайт, 512 Мбайт и
1Гбайт соответственно. Для
поддержки целостности канала
все свободные RIMM-слоты должны
заполняться continuity-модулями.
Чтобы расширить
канал сверх 32 устройств, могут
использоваться два чипа
повторителя. С одним
повторителем канал может
поддерживать 64 устройства на 6
RIMM-модулях, а с двумя - 128
устройств на 12.
Direct Rambus DRAM
Чипы Direct Rambus DRAM
составляют часть подсистемы
Rambus, запоминающую данные. Все
устройства в системе
электрически расположены на
канале между контроллером и
терминатором. Устройства Direct
Rambus могут только отвечать на
запросы контроллера, который
делает их шину подчиненной или
отвечающей. Устройства можно
разделить на две части.
Технология Direct Rambus
представляет собой третий этап
развития памяти RDRAM. Впервые
память RDRAM появилась в 1995 г.,
работала на частоте 150 МГц и
обеспечивала пропускную
способность 600 Мбайт/с. Она
использовалась в станциях SGI
Indigo2 IMPACTtm, в приставках Nintendo64, а
также в качестве видеопамяти.
Следующее поколение RDRAM
появилось в 1997 г. под названием
Concurrent RDRAM. Новые модули были
полностью совместимы с
первыми. Но за год до этого
события в жизни компании
произошло не менее значимое
событие. В декабре 1996 г. Rambus, Inc.
и Intel Corporation объявили о
совместном развитии памяти RDRAM
и продвижении ее на рынок
персональных компьютеров.
Совместимость
В начале статьи мы
упомянули одну из возможных
проблем совместимости. Но тот
случай скорее является
курьезом, чем действительно
проблемой. Сейчас поговорим о
совместимости разных типов
памяти несколько подробнее.
Сначала о
существующих форм-факторах. В
качестве оперативной памяти
используются модули SIMM, DIMM, RIMM,
SO-DIMM и SO-RIMM. Все они имеют разное
количество контактов. Модули
SIMM сейчас встречаются только в
старых моделях материнских
плат, а им на смену пришли
168-контактные DIMM. Модули SO-DIMM и
SO-RIMM, имеющие меньшее
количество контактов, чем
стандартные DIMM и RIMM, широко
используются в портативных
устройствах. Модули RIMM можно
встретить в платах на новом
чипсете Intelr 820 (на момент сдачи
статьи ни платы, ни модули в
продаже не появились).
Модуль памяти SO-DIMM.
Совпадение
форм-факторов модуля и разъема
не всегда стопроцентно
гарантирует работоспособность
модуля. Для сведения к минимуму
риска использования
неподходящего устройства
применяются так называемые
ключи. В модулях памяти такими
ключами являются один или
несколько вырезов. Этим
вырезам на разъеме
соответствуют специальные
выступы. Так в модулях DIMM
используется два ключа. Один из
них (вырез между 10 и 11
контактами) отвечает за
буферизованность модуля
(модуль может быть
буферизованным или
небуферизованным), а второй
(вырез между 40 и 41 контактами) -
за рабочее напряжение (может
быть 5 В или 3,3 В).
Модуль памяти DDR DIMM.
Часто
задается вопрос о возможности
использования модулей памяти с
покрытием контактов, отличным
от покрытия контактов разъема.
Материал, используемый для
покрытия модулей и разъемов,
должен совпадать. Мотивируется
это тем, что при различных
материалах возможно появление
гальванической коррозии, и, как
следствие, разрушение модуля.
Хотя такое мнение не лишено
оснований, но, как показывает
опыт, использование модулей и
разъемов с разным покрытием
никак не сказывается на работе
компьютера.
Поддержка
различных типов
памяти |
EDO
RAM |
SDRAM |
VCM |
SDRAM
II |
RDRAM |
Intel 440EX |
+ |
+ |
|
|
|
Intel 440LX |
+ |
+ |
|
|
|
Intel 440ZX |
|
+ |
|
|
|
Intel 810 |
|
+ |
|
|
|
|
(PC100) |
|
Intel 820 |
|
+ |
|
|
+ |
Intel 440BX |
|
+ |
|
|
|
Intel 440GX |
|
+ |
|
|
|
Intel 840 |
|
+ |
|
|
+ |
|
(PC100) |
|
(PC600/800) |
Intel 450NX |
+ |
+ |
|
|
|
VIA Apollo MVP3/4 |
+ |
+ |
|
+ |
|
VIA Apollo Pro/Pro+ |
+ |
+ |
|
|
|
VIA Apollo Pro133 |
|
+ |
+ |
|
|
|
(HSDRAM) |
(VCM133) |
|
VIA Apollo Pro133A |
|
+ |
+ |
|
|
|
(PC133) |
(VCM133) |
|
VIA Apollo KX133 |
|
+ |
+ |
|
|
|
(PC133) |
(VCM133) |
|
ALI Alladin 4/4+/V/PRO II |
+ |
+ |
|
|
|
ALI Alladin TNT2 |
+ |
+ |
+ |
|
|
|
Следующие несколько
строк адресованы любителям
проводить различные опыты.
Ради интереса мы хотели
заставить 16-Мбайт SIMM'ы
функционировать на частоте
100-МГц шины памяти.
Документация запрещала
выставлять такую частоту
модулям SIMM и работать им
совместно с модулями DIMM.
Нарушив оба требования,
включили компьютер. Как это ни
странно, он заработал и работал
без сбоев. Гарантировать, что
память работала на 100 МГц,
нельзя, потому что не исключена
возможность автоматического
понижения частоты материнской
платой, но, осмотрев SIMM'ы через
некоторое время, мы увидели,
что их контакты сильно
почернели. Это позволило нам
предположить, что SIMM'ы
действительно работали на
предложенной частоте. Можно
сделать вывод, что если уж 60-нс
SIMM'ы нормально работают на
частоте 100 МГц, то 10-нс DIMM и
подавно будет работать без
каких-либо побочных эффектов.
Следовательно, такие DIMM'ы
спокойно можно считать
соответствующими спецификации
PC100. Но помните: проводя
подобные эксперименты, вы всю
ответственность за возможные
последствия берете на себя, и
при выходе из строя какого-либо
компонента системы вас не
спасет никакая гарантия.
(Кстати, системная плата, на
которой проводился опыт, через
несколько недель работы в
таком режиме сгорела. Выводы
делайте сами.)
Иногда в
руководствах на материнские
платы можно найти ряд
рекомендаций по применяемым
модулям памяти, но не всем им
необходимо следовать.
Использование неподходящих
модулей, а иногда и полностью
соответствующих требованиям
может вызывать
непредсказуемые сбои в работе
компьютера. Так что будьте
очень внимательны при выборе
"мозгов" для вашего друга,
а в случае неуверенности в
своих силах следует обратиться
к специалисту за помощью.
Производители чипов
Существует много
фирм, производящих чипы и
модули памяти. Их можно
разделить на brand-name и
generic-производителей.
Как
подобрать требуемый
чип памяти? |
На памяти,
соответствующей
стандарту SDRAM PC100,
должна находиться
соответствующая
наклейка вида PC100R-abc-def:
- R (может
отсутствовать)
указывает на то,
что перед вами
регистровый
модуль (registered).
- а — CAS
Latency.
- b — tRCD
(в циклах).
Указывает
минимальное время
между сигналами RAS
и CAS.
- c — tRP
(в циклах).
Указывает
минимальное время
между командами.
- d — tAC
в нс.
- e —
ревизия SPD,
используемая на
этом DIMM’е.
- f — 0.
Вместо PC100
может указываться и
другое значение,
например PC133. Это лишь
означает, что
соответствующие
параметры указаны при
другой частоте.
Для памяти,
соответствующей
новому стандарту PC133,
наклейка должна иметь
вид PC100m-abc-dde-f:
- m — тип
модуля. U =
небуферизованный
DIMM (отсутствуют
регистры на нем).
- a, b, c , e —
соответствуют
предыдущему
описанию.
- dd — tAC
(into 50 pF load) без
десятичной точки.
54 = 5,4 нс tAC.
Пример:
PC133U-333-542-B
Это
небуферизованный PC133
DIMM с CL = 3, tRCD = 3, tRP
= 3 и tAC = 5,4 нс, он
использует вторую
ревизию JEDEC SPD и
произведена на основе
Intel x8 LC.
Что касается
буквы U, то можно
сказать, что вся
SDRAM-память,
используемая в
качестве оперативной,
является
небуферизованной, и в
статье речь шла именно
о таком типе. Сейчас
появляются
регистровые (registered)
модули,
представляющие собой
некоторый аналог
буферизованных для SDRAM
DIMM.
|
|
При покупке
(особенно на рынках) хорошо бы
лишний раз убедиться в
правильности предоставляемой
продавцом информации (как
говорится, доверяй, но
проверяй). Произвести такую
проверку можно расшифровав
имеющуюся на чипе строку букв и
цифр (как правило, самую
длинную) с помощью
соответствующего databook и
материалов, находящихся на
сайте производителя. Но часто
бывает, что необходимой
информации не оказывается под
рукой. И все же своей цели можно
добиться, т. к. большинство
производителей придерживаются
более или менее стандартного
вида предоставления
информации (исключение
составляют Samsung и Micron). По
маркировке чипа можно узнать
производителя, тип памяти,
рабочее напряжение, скорость
доступа, дату производства и
др.
Чипсет Intel 820
В конце прошлого года
после долгого ожидания
появились первые системные
платы на чипсете Intel 820,
поддерживающие память Direct Rambus.
Правда, в наших магазинах пока
нельзя приобрести ни таких
плат, ни память, но если
все-таки вы твердо решили
перейти на новую систему и не
хотите подождать
недельку-другую, то можете
воспользоваться услугами Internet.
Немаловажным
вопросом при переходе на новую
систему является ее стоимость.
При покупке системной платы на
i820 скорее всего придется
приобретать новую память, т. к.
этот чипсет поддерживает DRDRAM.
Как можно видеть из таблицы,
этот чипсет способен работать
и с PC100 SDRAM, но для этого
требуется наличие транслятора
памяти на материнской плате.
Технология
производства DRDRAM не очень
сильно отличается по стоимости
от производства SDRAM, но
необходимо учесть, что
стандарт RDRAM является закрытым
и, следовательно, чтобы
производить эти чипы, фирма
должна приобрести
соответствующую лицензию.
Естественно, все эти
дополнительные расходы на
производство отразятся на
конечном пользователе, т. е. на
нас с вами (по некоторым данным,
память Direct Rambus стоит в пять раз
дороже SDRAM).
Помимо использования
другой технологии, модули Direct
Rambus используют и более низкое
рабочее напряжение по
сравнению с DIMM (2,5 В в Direct Rambus
против 3,3 В в SDRAM).
Что нас ждет в новом
году?
В заключении
подведем некоторые итоги.
Прошедший год был богат
различными событиями в
компьютерной индустрии. Борьба
за различные сферы
производства будет
продолжаться. Мы посмотрим,
сможет ли Rambus вытеснить с рынка
памяти модули SDRAM и им подобные.
Также интересно будет следить
за борьбой Intel и AMD на рынке
процессоров. Но одним из
главных событий в 1999 г. стал
выход чипсета Intel 820, а с ним и
многих новых типов памяти. Мы
надеемся, что данная статься
поможет вам разобраться в
порою очень "мутных"
спецификациях в прайс-листах в
колонке "память", и будет
полезной не только
начинающему, но и опытному
пользователю.
|